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        石墨消解器的型號選擇
        時間:2021-01-18 13:51 點擊次數:

                  2007年,中微公司首臺甚高頻去耦合等離子體刻蝕設備Primo D-RIE研制成功。作為中微第一代電介質刻蝕產品,在同年的日本半導體博覽會上發布,是12英寸雙反應臺多反應腔主機系統,用于65nm到16nm技術節點,可以靈活配置多大三個雙反應臺反應腔。每個反應腔都可以在單晶圓反應環境下,同時加工兩片晶圓??涛g設備采用了雙反應臺技術增加了產能輸出,可以有效降低客戶的成本,相較于同類產品具有很高的性價比優勢。 2011年,中微第二代電介質刻蝕產品Primo AD-RIE刻蝕設備研制成功,可用于45nm到14nm后段制程以及10nm前段應用的開發。同時,中微通過建立全球化的采購體系,與供應商密切合作,制造出模塊化、易維護、具有成本競爭優勢的產品;其通過科學的方法管理庫存,有效地降低了公司的運營成本。 2013年,CCP刻蝕設備產品Primo SSC AD-RIE刻蝕設備研制成功,可用于40-7nm工藝。三代刻蝕設備,不斷迭代,產品線覆蓋了多個制程的微觀器件的眾多刻蝕應用。 半導體設備產業的波動要大于半導體芯片產業的波動,更大于 GDP 的波動。僅靠單一的設備產品來發展的企業無法抵御市場波動帶來的不確定性。為此,中微公司的半導體設備實現了多產品覆蓋,2010年,首臺深硅刻蝕設備產品研制成功;2012年首臺MOCVD設備產品研制成功,產品覆蓋集成電路、MEMS、LED 等不同的下游半導體應用市場。 在中微的主要產品線刻蝕設備方面,國際巨頭泛林科技、東京電子和應用材料均實現了硅刻蝕、介質刻蝕、金屬刻蝕的全覆蓋,他們占據了全球干法刻蝕機市場的90%以上份額。即便如此,中微還是在介質刻蝕領域實現了突圍,將產品打入臺積電、聯電、中芯國際等芯片生產商的40多條生產線,并實現了量產。


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